http://repositorio.unb.br/handle/10482/12636| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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| 2012_CamilaPeixotoSilvaMadeiraNogueira.pdf | 1,66 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir | 
| Título: | Análise comparativa entre interconexões de nanotubo de carbono e interconexões de cobre para circuitos GSI/TSI | 
| Outros títulos: | Comparative analysis between carbon nanotube interconnects and copper interconnects for GSI/TSI circuits | 
| Autor(es): | Nogueira, Camila Peixoto da Silva Madeira | 
| Orientador(es): | Guimarães, Janaína Gonçalves | 
| Assunto: | Nanotecnologia Circuitos integrados - desempenho Transistores | 
| Data de publicação: | 28-mar-2013 | 
| Data de defesa: | 27-set-2012 | 
| Referência: | NOGUEIRA, Camila Peixoto da Silva Madeira Nogueira. Análise Comparativa entre Interconexões de Nanotubo de Carbono e Interconexões de Cobre para Circuitos GSI/TSI. 2012. xiii, 72 f., Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica)—niversidade de Brasília, Brasília, 2012. | 
| Resumo: | Nesta  dissertação  será  realizado  o  estudo  de  nanotubos  de  carbono  como  possíveis substitutos do cobre em interconexões em circuitos integrados GSI e TSI. Dessa forma, os modelos  de  circuitos  do  SWCNT  (single-walled  carbon  nanotube)  e  do  cobre  serão apresentados  e  o  estudo  comparativo  do  desempenho  destes  materiais  será  realizado, considerando  diferentes  comprimentos  das  interconexões.  Além  disso,  o  efeito  destas 
interconexões  será  analisado  na  rede  H-tree  clock  com  inversores  em  seus  terminais, também   para   diferentes   comprimentos.   Os   inversores   utilizados   são   formados   por dispositivos  de  tunelamento  mono-elétron.  Com  este  propósito,  as  interconexões  serão 
simuladas usando o software LTSPICE. ______________________________________________________________________________ ABSTRACT In this work, carbon nanotubes as possible candidates to replace copper as interconnects in GSI and TSI integrated circuits are studied. The circuit model of SWCNT (single-walled carbon nanotube) and of copper are presented and a comparison between both materials is studied, considering different interconnect lengths. In addition, interconnects effect is analyzed in the H-tree clock network using inverters in its ends. The inverters are formed by mono-electron tunneling devices. For this purpose, the interconnects will be simulated using LTSPICE software. | 
| Unidade Acadêmica: | Faculdade de Tecnologia (FT) Departamento de Engenharia Elétrica (FT ENE) | 
| Informações adicionais: | Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2012. | 
| Programa de pós-graduação: | Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica | 
| Aparece nas coleções: | Teses, dissertações e produtos pós-doutorado | 
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