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Título : Desenvolvimento de uma memória associativa estocástica utilizando transistores mono-elétron
Autor : Carmo, Helen Carvalho do
Orientador(es):: Costa, José Camargo da
Assunto:: Transistores
Redes neurais (Computação)
Memória associativa (Engenharia Elétrica)
Fecha de publicación : 15-feb-2011
Citación : CARMO, Helen Carvalho do. Desenvolvimento de uma memória associativa estocástica utilizando transistores mono-elétron. 2006. xvii, 133 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica)-Universidade de Brasília, Brasília, 2006.
Resumen : Neste estudo realizou-se, pela primeira vez, o projeto de uma memória associativa estocástica, através da conexão de blocos de circuitos com funções específicas utilizando somente transistores mono-elétron. A viabilidade da conexão de blocos, integrando sistemas é demonstrada apresentando uma metodologia de projeto para a realização de sistemas nanoeletrônicos, utilizando o conceito hierárquico na composição dos circuitos. A funcionalidade do sistema formado pela memória associativa foi verificada a partir de simulações parciais e integrais do sistema, com ferramenta CAD profissional . _________________________________________________________________________________ ABSTRACT
In this study the design of an stochastic associative memory, based upon single-electron transistors, was, for the first time, carried out. An hierarchical design methodology, suitable for single-electron circuit conception was also devised in this work. The associative memory circuit design’s performance was validated using professional electrical simulators.
metadata.dc.description.unidade: Faculdade de Tecnologia (FT)
Departamento de Engenharia Elétrica (FT ENE)
Descripción : Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2006.
metadata.dc.description.ppg: Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Aparece en las colecciones: Teses, dissertações e produtos pós-doutorado

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