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Please use this identifier to cite or link to this item: https://repositorio.unb.br/handle/10482/6894
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Title: Desenvolvimento de uma memória associativa estocástica utilizando transistores mono-elétron
Authors: Carmo, Helen Carvalho do
Orientador(es):: Costa, José Camargo da
Assunto:: Transistores
Redes neurais (Computação)
Memória associativa (Engenharia Elétrica)
Issue Date: 15-Feb-2011
Citation: CARMO, Helen Carvalho do. Desenvolvimento de uma memória associativa estocástica utilizando transistores mono-elétron. 2006. xvii, 133 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica)-Universidade de Brasília, Brasília, 2006.
Abstract: Neste estudo realizou-se, pela primeira vez, o projeto de uma memória associativa estocástica, através da conexão de blocos de circuitos com funções específicas utilizando somente transistores mono-elétron. A viabilidade da conexão de blocos, integrando sistemas é demonstrada apresentando uma metodologia de projeto para a realização de sistemas nanoeletrônicos, utilizando o conceito hierárquico na composição dos circuitos. A funcionalidade do sistema formado pela memória associativa foi verificada a partir de simulações parciais e integrais do sistema, com ferramenta CAD profissional . _________________________________________________________________________________ ABSTRACT
In this study the design of an stochastic associative memory, based upon single-electron transistors, was, for the first time, carried out. An hierarchical design methodology, suitable for single-electron circuit conception was also devised in this work. The associative memory circuit design’s performance was validated using professional electrical simulators.
Description: Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2006.
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