| Data de publicação | Data de defesa | Título | Autor(es) | Orientador(es) | Coorientador(es) |
|---|---|---|---|---|---|
| Abr-2009 | - | Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells | Enders Neto, Bernhard Georg; Lima, Fábio Menezes de Souza; Fonseca, Antonio Luciano de Almeida; Nunes, O. A. C.; Silva Júnior, Eronides Felisberto da | - | - |