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Autor(es)
Orientador(es)
Coorientador(es)
Abr-2009
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Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells
Enders Neto, Bernhard Georg
;
Lima, Fábio Menezes de Souza
;
Fonseca, Antonio Luciano de Almeida
;
Nunes, O. A. C.
;
Silva Júnior, Eronides Felisberto da
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Jun-2006
-
Limitation of electron mobility in modulation-doped In0.53Ga0.47As/InP quantum wells at low temperatures
Lima, Fábio Menezes de Souza
;
Veloso, Aline Bessa
;
Fonseca, Antonio Luciano de Almeida
;
Nunes, O. A. C.
-
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